keywords:"LAO" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"LAO"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Souběžné měření povrchového potenciálu a transportní odezvy grafenových Hallových struktur Štrba, Lukáš ; Čech, Vladimír (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Grafén je polokov s nulovým pásom zakázaných energií. Pomocou hradlového napätia je možné meniť polohu jeho Fermiho hladiny a tým meniť koncentráciu voľných nosičov náboja. V tejto práci sme súbežne merali povrchový potenciál pomocou Kelvinovej sondovej silovej mikroskopie (KPFM) a transportnú odozvu grafénovej Hallovej štruktúry pri rôznych relatívnych vlhkostiach a pri priloženom hradlovom napätí. Taktiež sa pozorovala transportná odozva grafénovej Hallovej štruktúry po modifikácií metódou lokálnej anodickej oxidácie (LAO). Úplný záznam
	In-situ mapování rozložení náboje a transportní odezvy nanostruktur připravených pomocí rastrovací sondové mikroskopie na grafenových Hallových strukturách Přikryl, Vojtěch ; Frank, Otakar (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Grafen je materiál vhodný pro elektronické aplikace, mimo jiné senzory a biosenzory pracující v atmosférických podmínkách a za různých relativních vlhkostí. Tato práce se zabývá šířením náboje na grafenovém polem řízeném tranzistoru ve tvaru Hallovy struktury, které je studováno souběžně pomocí Kelvinovy sondové mikroskopie a měření makroskopické transportní odezvy. Zároveň studuje možnosti modifikace grafenové Hallovy struktury pomocí lokální anodické oxidace, lokální katodické hydrogenace a mechanické litografie. Úplný záznam
	Studium selektivního růstu kovů na matrici připravené pomocí AFM nanolitografie Konečný, Martin ; Mach, Jindřich (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Tato bakalářská práce je zaměřená na přípravu nanostruktur s využitím mikroskopu atomárních sil. Teoretická část pojednává o základních principech mikroskopu atomárních sil a o fyzikálním principu lokální anodické oxidace. Experimentální část je zaměřená na analýzu nanostruktur vytvořených lokální anodickou oxidací, na měření povrchového potenciálu na připravených nanostrukturách a na selektivní růst kovů na matrici připravenou lokální anodickou oxidací. Úplný záznam
	Výroba nanostruktur na grafitových/grafenových vrstvách a měření jejich transportních vlastností za pokojové teploty Hrabovský, Miloš ; Urbánek, Michal (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Tato bakalárska práce se venuje výrobe vrstev grafitu/grafenu a merení jejich transportních vlastností. Grafenové šupinky byly nanášeny pomocí mechanického odlupování. Pro kontaktování grafenových šupinek byla využita elektronová litografie a na pozorování byly využity optická mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. V práci jsou popsány jednotlivé kroky pro výrobu, pozorování a merení vlastností nanesených grafenových šupinek. Výsledky, problémy a rešení techto problému jsou uvedeny v experimentální práci. Úplný záznam
	Nanoelektronická zařízení na grafenu připravená lokální anodickou oxidací a jejich charakterizace pomocí Kelvinovy sondové mikroskopie Królikowski, David ; Konečný, Martin (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Využití grafenu v elektronice je podmíněno přítomností pásu zakázaných energií grafenu. Pomocí lokální anodické oxidace grafenu lze tohoto dosáhnout. Tato práce je zaměřena na přípravu elektronických struktur pomocí této metody a charakterizaci těchto struktur pomocí Kelvinovy silové mikroskopie. Úplný záznam
	Selektivní růst GaN na SiN Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce) Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM). Úplný záznam
	Tvorba nanostruktur využitím mikroskopu AFM Doupal, Antonín ; Škoda, David (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Tato bakalářská práce pojednává o tvorbě nanostruktur využitím mikroskopie atomárních sil. Teoretická část poskytuje stručný úvod do mikroskopie atomárních sil a lokální anodické oxidace a je založena na literární rešerši. Experimentální část je zaměřena na vyšetřování závislosti operačních parametrů (napětí mezi hrotem a vzorkem, rychlost hrotu) na rozměrech LAO nanostruktur na Si (111). Dále je na těchto oxidových nanostrukturách pozorován a analyzován selektivní růst kobaltu a galia . Úplný záznam
	Nanoelektronická zařízení na grafenu připravená lokální anodickou oxidací a jejich charakterizace pomocí Kelvinovy sondové mikroskopie Królikowski, David ; Konečný, Martin (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Využití grafenu v elektronice je podmíněno přítomností pásu zakázaných energií grafenu. Pomocí lokální anodické oxidace grafenu lze tohoto dosáhnout. Tato práce je zaměřena na přípravu elektronických struktur pomocí této metody a charakterizaci těchto struktur pomocí Kelvinovy silové mikroskopie. Úplný záznam
	Souběžné měření povrchového potenciálu a transportní odezvy grafenových Hallových struktur Štrba, Lukáš ; Čech, Vladimír (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Grafén je polokov s nulovým pásom zakázaných energií. Pomocou hradlového napätia je možné meniť polohu jeho Fermiho hladiny a tým meniť koncentráciu voľných nosičov náboja. V tejto práci sme súbežne merali povrchový potenciál pomocou Kelvinovej sondovej silovej mikroskopie (KPFM) a transportnú odozvu grafénovej Hallovej štruktúry pri rôznych relatívnych vlhkostiach a pri priloženom hradlovom napätí. Taktiež sa pozorovala transportná odozva grafénovej Hallovej štruktúry po modifikácií metódou lokálnej anodickej oxidácie (LAO). Úplný záznam
	In-situ mapování rozložení náboje a transportní odezvy nanostruktur připravených pomocí rastrovací sondové mikroskopie na grafenových Hallových strukturách Přikryl, Vojtěch ; Frank, Otakar (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce) Grafen je materiál vhodný pro elektronické aplikace, mimo jiné senzory a biosenzory pracující v atmosférických podmínkách a za různých relativních vlhkostí. Tato práce se zabývá šířením náboje na grafenovém polem řízeném tranzistoru ve tvaru Hallovy struktury, které je studováno souběžně pomocí Kelvinovy sondové mikroskopie a měření makroskopické transportní odezvy. Zároveň studuje možnosti modifikace grafenové Hallovy struktury pomocí lokální anodické oxidace, lokální katodické hydrogenace a mechanické litografie. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English